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Halbleiterherstellungsprozess – Ätztechnologie
Um aus einem Wafer einen Halbleiter zu machen, sind Hunderte von Prozessen erforderlich. Einer der wichtigsten Prozesse ist das Ätzen, also das Eingravieren feiner Schaltkreismuster auf den Wafer. Der Erfolg des Ätzprozesses hängt von der Verwaltung verschiedener Variablen innerhalb eines festgelegten Verteilungsbereichs und jeder Ätzung ab ...Mehr lesen -
Ideales Material für Fokusringe in Plasmaätzgeräten: Siliziumkarbid (SiC)
In Plasmaätzanlagen spielen Keramikkomponenten eine entscheidende Rolle, darunter der Fokusring. Der Fokusring, der um den Wafer herum angeordnet ist und in direktem Kontakt mit ihm steht, ist für die Fokussierung des Plasmas auf den Wafer durch Anlegen einer Spannung an den Ring unerlässlich. Dies verbessert die Un...Mehr lesen -
Front End of Line (FEOL): Den Grundstein legen
Das vordere Ende der Produktionslinie gleicht der Grundsteinlegung und dem Bau der Wände eines Hauses. In der Halbleiterfertigung umfasst dieser Schritt die Erstellung der Grundstrukturen und Transistoren auf einem Siliziumwafer. Wichtige Schritte von FEOL: ...Mehr lesen -
Einfluss der Siliziumkarbid-Einkristallverarbeitung auf die Waferoberflächenqualität
Halbleiter-Leistungsbauelemente nehmen eine zentrale Stellung in leistungselektronischen Systemen ein, insbesondere im Kontext der rasanten Entwicklung von Technologien wie künstlicher Intelligenz, 5G-Kommunikation und neuen Energiefahrzeugen sind die Leistungsanforderungen an sie ...Mehr lesen -
Wichtigstes Kernmaterial für das SiC-Wachstum: Tantalcarbid-Beschichtung
Derzeit wird die dritte Generation von Halbleitern von Siliziumkarbid dominiert. In der Kostenstruktur seiner Geräte entfallen 47 % auf das Substrat und 23 % auf die Epitaxie. Die beiden machen zusammen etwa 70 % aus, was den wichtigsten Teil der Herstellung von Siliziumkarbid-Geräten darstellt.Mehr lesen -
Wie verbessern mit Tantalkarbid beschichtete Produkte die Korrosionsbeständigkeit von Materialien?
Die Tantalkarbidbeschichtung ist eine häufig verwendete Oberflächenbehandlungstechnologie, die die Korrosionsbeständigkeit von Materialien erheblich verbessern kann. Eine Tantalcarbid-Beschichtung kann durch verschiedene Vorbereitungsmethoden, wie chemische Gasphasenabscheidung, physikalische..., auf der Oberfläche des Substrats angebracht werden.Mehr lesen -
Gestern gab das Science and Technology Innovation Board bekannt, dass Huazhuo Precision Technology seinen Börsengang beendet hat!
Habe gerade die Lieferung der ersten 8-Zoll-SIC-Laserglühanlage in China angekündigt, bei der es sich ebenfalls um die Technologie von Tsinghua handelt; Warum haben sie die Materialien selbst zurückgezogen? Nur ein paar Worte: Erstens sind die Produkte zu vielfältig! Auf den ersten Blick weiß ich nicht, was sie tun. Derzeit ist H...Mehr lesen -
CVD-Siliziumkarbidbeschichtung-2
CVD-Siliziumkarbid-Beschichtung 1. Warum gibt es eine Siliziumkarbid-Beschichtung? Die Epitaxieschicht ist ein spezifischer einkristalliner Dünnfilm, der durch den Epitaxieprozess auf der Basis des Wafers gewachsen wird. Der Substratwafer und der epitaktische Dünnfilm werden zusammenfassend als Epitaxiewafer bezeichnet. Unter ihnen sind die...Mehr lesen -
Vorbereitungsprozess der SIC-Beschichtung
Derzeit umfassen die Vorbereitungsmethoden für die SiC-Beschichtung hauptsächlich das Gel-Sol-Verfahren, das Einbettverfahren, das Bürstenbeschichtungsverfahren, das Plasmaspritzverfahren, das chemische Dampfreaktionsverfahren (CVR) und das chemische Dampfabscheidungsverfahren (CVD). EinbettungsmethodeDiese Methode ist eine Art Hochtemperatur-Festphasen-...Mehr lesen -
CVD-Siliziumkarbidbeschichtung-1
Was ist CVD SiC? Die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist ein Vakuumabscheidungsverfahren zur Herstellung hochreiner Feststoffmaterialien. Dieses Verfahren wird häufig in der Halbleiterfertigung eingesetzt, um dünne Filme auf der Oberfläche von Wafern zu bilden. Bei der Herstellung von SiC durch CVD wird das Substrat exp...Mehr lesen -
Analyse der Versetzungsstruktur im SiC-Kristall durch Raytracing-Simulation, unterstützt durch röntgentopologische Bildgebung
Forschungshintergrund Anwendungsbedeutung von Siliziumkarbid (SiC): Als Halbleitermaterial mit großer Bandlücke hat Siliziumkarbid aufgrund seiner hervorragenden elektrischen Eigenschaften (wie größere Bandlücke, höhere Elektronensättigungsgeschwindigkeit und Wärmeleitfähigkeit) große Aufmerksamkeit auf sich gezogen. Diese Requisiten...Mehr lesen -
Impfkristall-Herstellungsprozess bei der SiC-Einkristallzüchtung 3
Wachstumsüberprüfung: Die Impfkristalle aus Siliziumkarbid (SiC) wurden nach dem beschriebenen Verfahren hergestellt und durch SiC-Kristallwachstum validiert. Als Wachstumsplattform wurde ein selbst entwickelter SiC-Induktionswachstumsofen mit einer Wachstumstemperatur von 2200℃, einem Wachstumsdruck von 200 Pa und einer Wachstumsgeschwindigkeit verwendet.Mehr lesen