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Verfahren zur Herstellung hochwertiger SiC-Pulver
Siliziumkarbid (SiC) ist eine anorganische Verbindung, die für ihre außergewöhnlichen Eigenschaften bekannt ist. Natürlich vorkommendes SiC, bekannt als Moissanit, ist recht selten. In industriellen Anwendungen wird Siliziumkarbid überwiegend durch synthetische Methoden hergestellt. Bei Semicera Semiconductor nutzen wir fortschrittliche Technologien...Mehr lesen -
Kontrolle der Gleichmäßigkeit des radialen Widerstands während des Kristallziehens
Die Hauptgründe für die Gleichmäßigkeit des radialen spezifischen Widerstands von Einkristallen sind die Ebenheit der Fest-Flüssigkeits-Grenzfläche und der kleine Ebeneneffekt während des Kristallwachstums. Der Einfluss der Ebenheit der Fest-Flüssigkeits-Grenzfläche während des Kristallwachstums, wenn die Schmelze gleichmäßig gerührt wird , Die...Mehr lesen -
Warum kann ein Magnetfeld-Einkristallofen die Qualität von Einkristallen verbessern?
Da der Tiegel als Behälter verwendet wird und im Inneren Konvektion herrscht, wird es mit zunehmender Größe des erzeugten Einkristalls schwieriger, die Wärmekonvektion und die Gleichmäßigkeit des Temperaturgradienten zu kontrollieren. Durch Hinzufügen eines Magnetfelds, damit die leitfähige Schmelze auf die Lorentz-Kraft einwirkt, kann Konvektion...Mehr lesen -
Schnelles Wachstum von SiC-Einkristallen unter Verwendung einer CVD-SiC-Massenquelle durch Sublimationsmethode
Schnelles Wachstum von SiC-Einkristallen unter Verwendung einer CVD-SiC-Massenquelle über die Sublimationsmethode. Durch die Verwendung recycelter CVD-SiC-Blöcke als SiC-Quelle konnten SiC-Kristalle mit der PVT-Methode erfolgreich mit einer Geschwindigkeit von 1,46 mm/h gezüchtet werden. Die Mikroröhren- und Versetzungsdichten des gewachsenen Kristalls deuten darauf hin, dass ...Mehr lesen -
Optimierte und übersetzte Inhalte zu Siliziumkarbid-Epitaxie-Wachstumsgeräten
Siliziumkarbid (SiC)-Substrate weisen zahlreiche Mängel auf, die eine direkte Verarbeitung verhindern. Um Chip-Wafer herzustellen, muss durch einen epitaktischen Prozess ein spezifischer einkristalliner Film auf dem SiC-Substrat gezüchtet werden. Dieser Film wird als Epitaxieschicht bezeichnet. Nahezu alle SiC-Bauelemente werden auf epitaktischen Verfahren realisiert.Mehr lesen -
Die entscheidende Rolle und Anwendungsfälle von SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren in der Halbleiterfertigung
Semicera Semiconductor plant, die Produktion von Kernkomponenten für Halbleiterfertigungsanlagen weltweit zu steigern. Bis 2027 wollen wir eine neue 20.000 Quadratmeter große Fabrik mit einer Gesamtinvestition von 70 Millionen USD errichten. Eine unserer Kernkomponenten, der Siliziumkarbid (SiC)-Waferträger...Mehr lesen -
Warum müssen wir Epitaxie auf Siliziumwafer-Substraten durchführen?
In der Halbleiterindustriekette, insbesondere in der Halbleiterindustriekette der dritten Generation (Wide Bandgap Semiconductor), gibt es Substrate und Epitaxieschichten. Welche Bedeutung hat die Epitaxieschicht? Was ist der Unterschied zwischen dem Substrat und dem Substrat? Das Substr...Mehr lesen -
Halbleiterherstellungsprozess – Ätztechnologie
Um aus einem Wafer einen Halbleiter zu machen, sind Hunderte von Prozessen erforderlich. Einer der wichtigsten Prozesse ist das Ätzen, also das Eingravieren feiner Schaltkreismuster auf den Wafer. Der Erfolg des Ätzprozesses hängt von der Verwaltung verschiedener Variablen innerhalb eines festgelegten Verteilungsbereichs und jeder Ätzung ab ...Mehr lesen -
Ideales Material für Fokusringe in Plasmaätzgeräten: Siliziumkarbid (SiC)
In Plasmaätzanlagen spielen Keramikkomponenten eine entscheidende Rolle, darunter der Fokusring. Der Fokusring, der um den Wafer herum angeordnet ist und in direktem Kontakt mit ihm steht, ist für die Fokussierung des Plasmas auf den Wafer durch Anlegen einer Spannung an den Ring unerlässlich. Dies verbessert die Un...Mehr lesen -
Front End of Line (FEOL): Den Grundstein legen
Das vordere Ende der Produktionslinie gleicht der Grundsteinlegung und dem Bau der Wände eines Hauses. In der Halbleiterfertigung umfasst dieser Schritt die Erstellung der Grundstrukturen und Transistoren auf einem Siliziumwafer. Wichtige Schritte von FEOL: ...Mehr lesen -
Einfluss der Siliziumkarbid-Einkristallverarbeitung auf die Waferoberflächenqualität
Halbleiter-Leistungsbauelemente nehmen eine zentrale Stellung in leistungselektronischen Systemen ein, insbesondere im Kontext der rasanten Entwicklung von Technologien wie künstlicher Intelligenz, 5G-Kommunikation und neuen Energiefahrzeugen sind die Leistungsanforderungen an sie ...Mehr lesen -
Wichtigstes Kernmaterial für das SiC-Wachstum: Tantalcarbid-Beschichtung
Derzeit wird die dritte Generation von Halbleitern von Siliziumkarbid dominiert. In der Kostenstruktur seiner Geräte entfallen 47 % auf das Substrat und 23 % auf die Epitaxie. Die beiden machen zusammen etwa 70 % aus, was den wichtigsten Teil der Herstellung von Siliziumkarbid-Geräten darstellt.Mehr lesen