Die Halbleiterindustrie erlebt ein beispielloses Wachstum, insbesondere im BereichSiliziumkarbid (SiC)Leistungselektronik. Mit vielen GroßformatenWaferDa Fabriken gebaut oder erweitert werden, um der steigenden Nachfrage nach SiC-Geräten in Elektrofahrzeugen gerecht zu werden, bietet dieser Boom bemerkenswerte Chancen für Gewinnwachstum. Es bringt jedoch auch einzigartige Herausforderungen mit sich, die innovative Lösungen erfordern.
Im Mittelpunkt der zunehmenden weltweiten SiC-Chipproduktion steht die Herstellung hochwertiger SiC-Kristalle, Wafer und Epitaxieschichten. Hier,Graphit in HalbleiterqualitätMaterialien spielen eine entscheidende Rolle und erleichtern das SiC-Kristallwachstum und die Abscheidung epitaktischer SiC-Schichten. Aufgrund seiner Wärmedämmung und Trägheit ist Graphit ein bevorzugtes Material, das häufig in Tiegeln, Sockeln, Planetenscheiben und Satelliten in Kristallwachstums- und Epitaxiesystemen verwendet wird. Dennoch stellen die rauen Prozessbedingungen eine erhebliche Herausforderung dar, da sie zu einer schnellen Degradation der Graphitkomponenten führen und anschließend die Herstellung hochwertiger SiC-Kristalle und Epitaxieschichten behindern.
Die Herstellung von Siliziumkarbidkristallen erfordert extrem raue Prozessbedingungen, einschließlich Temperaturen über 2000 °C und stark korrosiver Gassubstanzen. Dies führt häufig nach mehreren Prozesszyklen zur vollständigen Korrosion von Graphittiegeln, was die Produktionskosten in die Höhe treibt. Darüber hinaus verändern die rauen Bedingungen die Oberflächeneigenschaften von Graphitbauteilen und beeinträchtigen so die Wiederholbarkeit und Stabilität des Produktionsprozesses.
Um diesen Herausforderungen wirksam entgegenzutreten, hat sich die Schutzbeschichtungstechnologie als bahnbrechend erwiesen. Schutzbeschichtungen auf BasisTantalkarbid (TaC)wurden eingeführt, um die Probleme der Verschlechterung der Graphitkomponenten und der Versorgungsengpässe bei Graphit anzugehen. TaC-Materialien weisen eine Schmelztemperatur von über 3800 °C und eine außergewöhnliche chemische Beständigkeit auf. Nutzung der CVD-Technologie (Chemical Vapour Deposition),TaC-Beschichtungenmit einer Dicke von bis zu 35 Millimetern lassen sich fugenlos auf Graphitbauteilen abscheiden. Diese Schutzschicht erhöht nicht nur die Materialstabilität, sondern verlängert auch die Lebensdauer von Graphitbauteilen erheblich, wodurch die Produktionskosten gesenkt und die Betriebseffizienz gesteigert werden.
Semicera, ein führender Anbieter vonTaC-Beschichtungenwar maßgeblich an der Revolutionierung der Halbleiterindustrie beteiligt. Mit seiner Spitzentechnologie und seinem unerschütterlichen Engagement für Qualität hat Semicera es Halbleiterherstellern ermöglicht, kritische Herausforderungen zu meistern und neue Erfolgshöhen zu erreichen. Durch das Angebot von TaC-Beschichtungen mit beispielloser Leistung und Zuverlässigkeit hat Semicera seine Position als vertrauenswürdiger Partner für Halbleiterunternehmen weltweit gefestigt.
Zusammenfassend lässt sich sagen, dass die Schutzbeschichtungstechnologie, angetrieben durch Innovationen wieTaC-Beschichtungenvon Semicera gestaltet die Halbleiterlandschaft neu und ebnet den Weg für eine effizientere und nachhaltigere Zukunft.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 16. Mai 2024