Was ist CVD-SiC?
Die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist ein Vakuumabscheidungsverfahren zur Herstellung hochreiner Feststoffmaterialien. Dieses Verfahren wird häufig in der Halbleiterfertigung eingesetzt, um dünne Filme auf der Oberfläche von Wafern zu bilden. Bei der Herstellung von SiC durch CVD wird das Substrat einem oder mehreren flüchtigen Vorläufern ausgesetzt, die auf der Oberfläche des Substrats chemisch reagieren, um die gewünschte SiC-Abscheidung abzuscheiden. Unter den vielen Methoden zur Herstellung von SiC-Materialien weisen die durch chemische Gasphasenabscheidung hergestellten Produkte eine hohe Gleichmäßigkeit und Reinheit auf, und das Verfahren verfügt über eine gute Prozesskontrollierbarkeit.
CVD-SiC-Materialien eignen sich aufgrund ihrer einzigartigen Kombination hervorragender thermischer, elektrischer und chemischer Eigenschaften hervorragend für den Einsatz in der Halbleiterindustrie, die Hochleistungsmaterialien benötigt. CVD-SiC-Komponenten werden häufig in Ätzgeräten, MOCVD-Geräten, Si-Epitaxiegeräten und SiC-Epitaxiegeräten, Geräten für die schnelle thermische Verarbeitung und anderen Bereichen eingesetzt.
Insgesamt sind Ätzanlagenkomponenten das größte Marktsegment für CVD-SiC-Komponenten. Aufgrund seiner geringen Reaktivität und Leitfähigkeit gegenüber chlor- und fluorhaltigen Ätzgasen ist CVD-Siliziumkarbid ein ideales Material für Komponenten wie Fokusringe in Plasmaätzanlagen.
Zu den CVD-Siliziumkarbidkomponenten in Ätzgeräten gehören Fokusringe, Gasduschköpfe, Tabletts, Kantenringe usw. Am Beispiel des Fokusrings handelt es sich um eine wichtige Komponente, die außerhalb des Wafers platziert ist und direkt mit dem Wafer in Kontakt steht. Durch Anlegen einer Spannung an den Ring, um das durch den Ring strömende Plasma zu fokussieren, wird das Plasma auf den Wafer fokussiert, um die Gleichmäßigkeit der Bearbeitung zu verbessern.
Herkömmliche Fokusringe bestehen aus Silizium oder Quarz. Mit der fortschreitenden Miniaturisierung integrierter Schaltkreise nehmen die Nachfrage und die Bedeutung von Ätzprozessen bei der Herstellung integrierter Schaltkreise zu, und die Leistung und Energie des Ätzplasmas nehmen weiter zu. Insbesondere ist die erforderliche Plasmaenergie in kapazitiv gekoppelten (CCP) Plasmaätzanlagen höher, sodass die Verwendungsrate von Fokusringen aus Siliziumkarbidmaterialien zunimmt. Das schematische Diagramm des CVD-Siliziumkarbid-Fokusrings ist unten dargestellt:
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 20.06.2024