Kundenspezifische Teile aus Tantalcarbid (TaC CVD-Beschichtung)

Kurzbeschreibung:

Mit dem Aufkommen von 8-Zoll-Siliziumkarbid-Wafern (SiC) sind die Anforderungen an verschiedene Halbleiterprozesse, insbesondere an Epitaxieprozesse mit Temperaturen von über 2000 °C, deutlich gestiegen. Herkömmliche Suszeptormaterialien wie mit Siliziumkarbid beschichtetes Graphit sublimieren bei diesen hohen Temperaturen und stören so den Epitaxieprozess. CVD-Tantalkarbid (TaC) löst dieses Problem jedoch effektiv, da es Temperaturen bis zu 2300 °C standhält und eine längere Lebensdauer bietet. Kontaktieren Sie Semicera.s Kundenspezifische Teile aus Tantalcarbid (TaC CVD-Beschichtung)um mehr über unsere fortschrittlichen Lösungen zu erfahren.

 


Produktdetails

Produkt-Tags

Semicera bietet spezialisierte Tantalcarbid-Beschichtungen (TaC) für verschiedene Bauteile und Trägermaterialien an.Das führende Beschichtungsverfahren von Semicera ermöglicht es, Tantalcarbid (TaC)-Beschichtungen mit hoher Reinheit, hoher Temperaturstabilität und hoher chemischer Beständigkeit herzustellen und so die Produktqualität von SIC/GAN-Kristallen und EPI-Schichten zu verbessern.Graphitbeschichteter TaC-Suszeptor) und verlängert die Lebensdauer wichtiger Reaktorkomponenten. Die Verwendung von Tantalcarbid-TaC-Beschichtungen dient der Lösung des Kantenproblems und der Verbesserung der Kristallwachstumsqualität. Semicera hat die Tantalcarbid-Beschichtungstechnologie (CVD) bahnbrechend weiterentwickelt und damit ein international fortschrittliches Niveau erreicht.

 

Mit dem Aufkommen von 8-Zoll-Siliziumkarbid-Wafern (SiC) sind die Anforderungen an verschiedene Halbleiterprozesse, insbesondere an Epitaxieprozesse mit Temperaturen von über 2000 °C, deutlich gestiegen. Herkömmliche Suszeptormaterialien wie mit Siliziumkarbid beschichtetes Graphit sublimieren bei diesen hohen Temperaturen und stören so den Epitaxieprozess. CVD-Tantalkarbid (TaC) löst dieses Problem jedoch effektiv, da es Temperaturen bis zu 2300 °C standhält und eine längere Lebensdauer bietet. Kontaktieren Sie Semicera.s Kundenspezifische Teile aus Tantalcarbid (TaC CVD-Beschichtung)um mehr über unsere fortschrittlichen Lösungen zu erfahren.

Nach jahrelanger Entwicklung hat Semicera die Technologie erobertCVD TaCdurch die gemeinsamen Anstrengungen der Forschungs- und Entwicklungsabteilung. Defekte treten im Wachstumsprozess von SiC-Wafern leicht auf, aber nach der VerwendungTaCDer Unterschied ist signifikant. Nachfolgend ein Vergleich von Wafern mit und ohne TaC sowie von Simicera-Bauteilen für das Einkristallwachstum.

微信图片_20240227150045

mit und ohne TaC

微信图片_20240227150053

Nach der Verwendung von TaC (rechts)

Darüber hinaus ist Semicera'sTaC-beschichtete Produkteweisen eine längere Lebensdauer und eine höhere Hochtemperaturbeständigkeit im Vergleich zuSiC-Beschichtungen.Labormessungen haben gezeigt, dass unsereTaC-BeschichtungenSie funktionieren auch bei Temperaturen bis zu 2300 Grad Celsius über längere Zeiträume zuverlässig. Nachfolgend einige Beispiele unserer Muster:

 
0(1)
Semicera Arbeitsplatz
Semicera Arbeitsplatz 2
Ausrüstungsmaschine
Semicera Lagerhaus
CNN-Verfahren, chemische Reinigung, CVD-Beschichtung
Unser Service

  • Vorherige:
  • Nächste: