CVD-TaC-Beschichtung

 

Einführung in die CVD-TaC-Beschichtung:

 

Die CVD-TaC-Beschichtung ist eine Technologie, bei der Tantalcarbid (TaC) mittels chemischer Gasphasenabscheidung auf die Oberfläche eines Substrats aufgebracht wird. Tantalcarbid ist ein Hochleistungskeramikwerkstoff mit hervorragenden mechanischen und chemischen Eigenschaften. Das CVD-Verfahren erzeugt durch eine Gasreaktion einen gleichmäßigen TaC-Film auf der Substratoberfläche.

 

Hauptmerkmale:

 

Ausgezeichnete Härte und VerschleißfestigkeitTantalcarbid besitzt eine extrem hohe Härte, und eine CVD-TaC-Beschichtung kann die Verschleißfestigkeit des Substrats deutlich verbessern. Dadurch eignet sich die Beschichtung ideal für Anwendungen in Umgebungen mit hohem Verschleiß, wie beispielsweise Schneidwerkzeuge und Formen.

HochtemperaturstabilitätTaC-Beschichtungen schützen kritische Ofen- und Reaktorkomponenten bei Temperaturen bis zu 2200 °C und weisen dabei eine gute Stabilität auf. Sie behalten ihre chemische und mechanische Stabilität auch unter extremen Temperaturbedingungen und eignen sich daher für Hochtemperaturprozesse und Anwendungen in Hochtemperaturumgebungen.

Ausgezeichnete chemische StabilitätTantalcarbid besitzt eine hohe Korrosionsbeständigkeit gegenüber den meisten Säuren und Laugen, und eine CVD-TaC-Beschichtung kann Schäden am Substrat in korrosiven Umgebungen wirksam verhindern.

Hoher SchmelzpunktTantalcarbid hat einen hohen Schmelzpunkt (ca. 3880°C), wodurch die CVD-TaC-Beschichtung auch bei extrem hohen Temperaturen eingesetzt werden kann, ohne zu schmelzen oder sich zu zersetzen.

Ausgezeichnete WärmeleitfähigkeitDie TaC-Beschichtung besitzt eine hohe Wärmeleitfähigkeit, die dazu beiträgt, Wärme bei Hochtemperaturprozessen effektiv abzuleiten und lokale Überhitzung zu verhindern.

 

Mögliche Anwendungen:

 

• Komponenten für Galliumnitrid (GaN)- und Siliziumkarbid-Epitaxie-CVD-Reaktoren, einschließlich Waferträger, Satellitenschüsseln, Duschköpfe, Decken und Suszeptoren

• Komponenten für das Kristallwachstum von Siliciumcarbid, Galliumnitrid und Aluminiumnitrid (AlN), einschließlich Tiegel, Impfkristallhalter, Führungsringe und Filter

• Industriekomponenten wie Widerstandsheizelemente, Einspritzdüsen, Abdeckringe und Lötvorrichtungen

 

Anwendungsmerkmale:

 

• Temperaturstabil oberhalb von 2000 °C, ermöglicht den Betrieb bei extremen Temperaturen
•Beständig gegen Wasserstoff (H₃), Ammoniak (NH₃), Monosilan (SiH₄) und Silicium (Si) und bietet somit Schutz in aggressiven chemischen Umgebungen
• Die Beständigkeit gegen Temperaturschocks ermöglicht schnellere Betriebszyklen.
• Graphit bietet eine starke Haftung, was eine lange Lebensdauer und das Ausbleiben von Beschichtungsablösungen gewährleistet.
• Ultrahohe Reinheit zur Beseitigung unnötiger Verunreinigungen oder Schadstoffe
• Konforme Beschichtung mit engen Maßtoleranzen

 

Technische Spezifikationen:

 

Herstellung dichter Tantalcarbid-Beschichtungen mittels CVD

 Tantalcarbid-Beschichtung mittels CVD-Verfahren

TAC-Beschichtung mit hoher Kristallinität und ausgezeichneter Gleichmäßigkeit:

CVD TaC-Beschichtung_Semicera 5

Technische Parameter der CVD-TAC-Beschichtung_Semicera:

 

Physikalische Eigenschaften der TaC-Beschichtung
Dichte 14,3 (g/cm³)
Massenkonzentration 8 x 1015/cm
Spezifischer Emissionsgrad 0,3
Wärmeausdehnungskoeffizient 6.3 10-6/K
Härte (HK) 2000 HK
spezifischer Widerstand 4,5 Ohm-cm
Widerstand 1x10-5Ohm*cm
Thermische Stabilität <2500℃
Mobilität 237 cm2/Vs
Graphitgrößenänderungen -10 bis -20 µm
Beschichtungsdicke ≥20µm typischer Wert (35µm+10µm)

 

Die obigen Angaben sind typische Werte..