Langlebiger SiC-beschichteter Graphitträger für Solarwafer

Kurzbeschreibung:

Siliziumkarbid ist eine neuartige Keramik mit hervorragendem Preis-Leistungs-Verhältnis und exzellenten Materialeigenschaften. Dank seiner hohen Festigkeit und Härte, seiner hohen Temperaturbeständigkeit, seiner ausgezeichneten Wärmeleitfähigkeit und seiner Beständigkeit gegen chemische Korrosion ist Siliziumkarbid nahezu allen chemischen Medien beständig. Daher findet SiC breite Anwendung in der Erdöl-, Chemie-, Maschinenbau- und Luftfahrtindustrie. Auch die Kernenergie und das Militär stellen spezielle Anforderungen an SiC. Typische Anwendungsbeispiele sind Dichtungsringe für Pumpen und Ventile sowie Schutzpanzerungen.

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Produktdetails

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Vorteile

Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit
Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit
Gute Abriebfestigkeit
Hoher Wärmeleitfähigkeitskoeffizient
Selbstschmierung, geringe Dichte
Hohe Härte
Kundenspezifisches Design.

Anwendungen

-Verschleißbeständiger Bereich: Buchsen, Platten, Sandstrahldüsen, Zyklonauskleidungen, Schleifzylinder usw.
-Hochtemperaturfeld: SiC-Platte, Abschreckofenrohr, Strahlungsrohr, Tiegel, Heizelement, Walze, Balken, Wärmetauscher, Kaltluftrohr, Brennerdüse, Thermoelement-Schutzrohr, SiC-Schiff, Ofenwagenstruktur, Einsteller usw.
-Siliziumkarbid-Halbleiter: SiC-Waferboot, SiC-Chuck, SiC-Paddel, SiC-Kassette, SiC-Diffusionsrohr, Wafergabel, Saugplatte, Führungsbahn usw.
-Siliziumkarbid-Dichtungsbereich: alle Arten von Dichtungsringen, Lagern, Buchsen usw.
-Photovoltaikfeld: Auslegerpaddel, Schleiftrommel, Siliziumkarbidwalze usw.
-Lithiumbatteriefeld

WAFER (1)

WAFER (2)

Physikalische Eigenschaften von SiC

Eigentum	Wert	Verfahren
Dichte	3,21 g/cm³	Sinken-Schwimmen und Dimension
Spezifische Wärmekapazität	0,66 J/g °K	gepulster Laserblitz
Biegefestigkeit	450 MPa 560 MPa	4-Punkt-Biegung, RT4-Punkt-Biegung, 1300°
Bruchzähigkeit	2,94 MPa m1/2	Mikroindentation
Härte	2800	Vickers, 500 g Ladung
Elastizitätsmodul Young-Modul	450 GPa 430 GPa	4-Punkt-Biegung, RT4-Punkt-Biegung, 1300 °C
Körnung	2 – 10 µm	SEM

Thermische Eigenschaften von SiC

Wärmeleitfähigkeit	250 W/m °K	Laserblitzmethode, RT
Wärmeausdehnung (CTE)	4,5 x 10-6 °K	Raumtemperatur bis 950 °C, Quarz-Dilatometer

Technische Parameter

Artikel	Einheit	Daten
Artikel	Einheit	RBSiC(SiSiC)	NBSiC	SSiC	RSiC	OSiC
SiC-Gehalt	%	85	75	99	99,9	≥99
Gehalt an freiem Silizium	%	15	0	0	0	0
Maximale Betriebstemperatur	℃	1380	1450	1650	1620	1400
Dichte	g/cm³	3.02	2,75-2,85	3.08-3.16	2,65-2,75	2,75-2,85
Offene Porosität	%	0	13-15	0	15-18	7-8
Biegefestigkeit 20℃	Мpa	250	160	380	100	/
Biegefestigkeit 1200℃	Мpa	280	180	400	120	/
Elastizitätsmodul 20℃	Notendurchschnitt	330	580	420	240	/
Elastizitätsmodul 1200℃	Notendurchschnitt	300	/	/	200	/
Wärmeleitfähigkeit 1200℃	W/mK	45	19.6	100-120	36,6	/
Wärmeausdehnungskoeffizient	K^-1X10^-6	4,5	4.7	4.1	4,69	/
HV	kg/m^m2	2115	/	2800	/	/

Die CVD-Siliciumcarbid-Beschichtung auf der Außenfläche von rekristallisierten Siliciumcarbid-Keramikprodukten kann eine Reinheit von mehr als 99,9999 % erreichen, um den Anforderungen der Kunden in der Halbleiterindustrie gerecht zu werden.