SiC-Waferboot
Siliziumkarbid-Wafer-BootEs handelt sich um ein lasttragendes Bauteil für Wafer, das hauptsächlich in Diffusionsprozessen für Solarzellen und Halbleiter eingesetzt wird. Es zeichnet sich durch Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit, hohe Schlagfestigkeit bei hohen Temperaturen, Beständigkeit gegen Plasmabeschuss, hohe Temperaturtragfähigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Wärmeableitung und Formstabilität auch bei Langzeitbeanspruchung aus. Unser Unternehmen verwendet hochreines Siliziumkarbid, um eine lange Lebensdauer zu gewährleisten, und bietet kundenspezifische Designs, darunter verschiedene vertikale und horizontale Ausführungen.Waffelboot.
SiC-Paddel
DerSiliziumkarbid-Auslegerpaddelwird hauptsächlich bei der (Diffusions-)Beschichtung von Siliziumwafern eingesetzt, die eine entscheidende Rolle beim Beladen und Transportieren von Siliziumwafern bei hohen Temperaturen spielt. Es ist ein wichtiger Bestandteil vonHalbleiterwaferLadesysteme und weist folgende Hauptmerkmale auf:
1. Es verformt sich nicht bei hohen Temperaturen und weist eine hohe Belastbarkeit der Wafer auf;
2. Es ist beständig gegen extreme Kälte und schnelle Hitze und hat eine lange Lebensdauer.
3. Der Wärmeausdehnungskoeffizient ist gering, was den Wartungs- und Reinigungszyklus erheblich verlängert und die Schadstoffbelastung deutlich reduziert.
SiC-Ofenrohr
Siliziumkarbid-ProzessrohrEs besteht aus hochreinem SiC ohne metallische Verunreinigungen, verschmutzt den Wafer nicht und eignet sich für Prozesse wie Halbleiter- und Photovoltaikdiffusion, Temperung und Oxidation.
SiC-Roboterarm
SiC-RoboterarmDer Wafer-Transfer-Endeffektor (auch Wafer-Transfer-Endeffektor genannt) ist ein Roboterarm zum Transport von Halbleiterwafern und findet breite Anwendung in der Halbleiter-, Optoelektronik- und Solarenergieindustrie. Er besteht aus hochreinem Siliziumkarbid und zeichnet sich durch hohe Härte, Verschleißfestigkeit, Erdbebensicherheit, Formstabilität im Langzeitbetrieb und lange Lebensdauer aus. Dadurch sind kundenspezifische Lösungen möglich.
Graphit für das Kristallwachstum
Graphit-Hitzeschild
Graphitelektrodenrohr
Graphitabweiser
Graphitfutter
Alle Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkristallen finden in Hochtemperatur- und korrosiven Umgebungen statt. Die Heizzone des Kristallzuchtofens ist üblicherweise mit hochreinen, hitze- und korrosionsbeständigen Graphitkomponenten wie Graphitheizkörpern, Tiegeln, Zylindern, Deflektoren, Spannfuttern, Rohren, Ringen, Halterungen, Muttern usw. ausgekleidet. Unser Endprodukt weist einen Aschegehalt von unter 5 ppm auf.
Graphit für die Halbleiterepitaxie
Graphitbasis
Graphit-Epitaxial-Zylinder
Monokristalline Silizium-Epitaxiebasis
MOCVD-Graphitteile
Halbleiter-Graphit-Vorrichtung
Das Epitaxieverfahren bezeichnet das Wachstum eines Einkristallmaterials auf einem Einkristallsubstrat mit der gleichen Gitterstruktur. Es erfordert zahlreiche Graphitkomponenten mit höchster Reinheit sowie eine Graphitbasis mit SiC-Beschichtung. Der für die Halbleiterepitaxie verwendete hochreine Graphit findet breite Anwendung und ist mit den meisten gängigen Industrieanlagen kompatibel. Gleichzeitig zeichnet er sich durch extrem hohe Reinheit, gleichmäßige Beschichtung, ausgezeichnete Lebensdauer sowie extrem hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität aus.
Isoliermaterial und andere
In der Halbleiterproduktion werden Wärmedämmstoffe wie Graphit-Hartfilz, Weichfilz, Graphitfolie und Kohlenstoffverbundwerkstoffe eingesetzt. Unsere Rohstoffe sind importierte Graphitmaterialien, die wir nach Kundenspezifikation zuschneiden oder als Ganzes liefern können. Kohlenstoffverbundwerkstoffe dienen üblicherweise als Trägermaterial für die Herstellung von Solarzellen (Monokristalle und Polysilizium).