Semicera Semiconductor Technology Co., Ltd. mit Sitz in Ningbo, Provinz Zhejiang, China, wurde im Januar 2018 gegründet. Unsere Mission ist es, die Zukunft durch Materialien zu gestalten, und unsere Vision ist es, ein führendes Unternehmen für neue Materialien mit Kerntechnologien im Halbleiterbereich zu werden. Wir sind spezialisiert auf die Forschung und Entwicklung fortschrittlicher Technologien wie SiC-Beschichtungen, Tac-Beschichtungen, pyrolytische Kohlenstoffbeschichtungen, CVD-SiC (Solid SiC) und rekristallisiertes Siliciumcarbid, die für die Halbleiterindustrie von entscheidender Bedeutung sind. Darüber hinaus konzentrieren wir uns auf die großtechnische Produktion hochreiner Materialprodukte.
Auszeichnung und Zertifizierung
Einrichtungen und Labore
CVD-Hochtemperaturofen
Beschichtungssubstrate für die Epitaxie von LED-Chips, Siliziumwafern, Substrate und Komponenten für die Epitaxie von Halbleitern der dritten Generation, TaC-Beschichtungen und mehr.
Vakuumreinigungsofen
Reinigung von kohlenstoffbasierten Elementen wie Graphit, Kohlenstofffilz, Graphitpulver und Kohlenstoffverbundwerkstoffen.
Horizontaler Graphitisierungsofen
Wird hauptsächlich für die Hochtemperaturbehandlung von Kohlenstoffmaterialien eingesetzt, wie z. B. Sintern und Graphitieren von Kohlenstoffmaterialien, Graphitieren von PI-Folien, Sintern von wärmeleitenden Materialien, Sintern und Graphitieren von Kohlenstofffaserseilen, Graphitieren von Kohlenstofffaserfilamenten, Reinigen von Graphitpulver und anderen Materialien, die für die Graphitierung in einer Kohlenstoffumgebung geeignet sind.
CNC-Maschinen
Prüfgeräte
Vier-Sonden-Instrument
Ausrüstung zur Entwicklung und Verifizierung von Beschichtungsmaterialien
CTE-Testinstrument
GDMS
SIMS
Eine Einführung in die industrielle Wertschöpfungskette der Halbleiterchip-Epitaxie
Partner
IC-Chip-Epitaxie
Halbleiter der dritten Generation
