Einführung in die Siliziumkarbidbeschichtung
Unsere mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) hergestellte Siliziumkarbid-Beschichtung (SiC) ist eine äußerst haltbare und verschleißfeste Schicht, die sich ideal für Umgebungen eignet, die eine hohe Korrosions- und Wärmebeständigkeit erfordern.Siliziumkarbidbeschichtungwird mittels des CVD-Verfahrens in dünnen Schichten auf verschiedene Substrate aufgebracht und bietet überlegene Leistungseigenschaften.
Hauptmerkmale
● -Außergewöhnliche ReinheitMit einer ultrareinen Zusammensetzung99,99995 %, unserSiC-Beschichtungminimiert das Kontaminationsrisiko bei sensiblen Halbleiterprozessen.
● -Überlegene WiderstandsfähigkeitEs weist eine ausgezeichnete Beständigkeit gegenüber Verschleiß und Korrosion auf und eignet sich daher perfekt für anspruchsvolle chemische und Plasmaanwendungen.
● -Hohe WärmeleitfähigkeitGewährleistet dank seiner hervorragenden thermischen Eigenschaften eine zuverlässige Leistung auch bei extremen Temperaturen.
● -Dimensionsstabilität: Dank seines niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten behält es seine strukturelle Integrität über einen weiten Temperaturbereich.
● -Erhöhte HärteMit einer Härte von40 GPaUnsere SiC-Beschichtung ist äußerst stoß- und abriebfest.
● -Glatte Oberflächenbeschaffenheit: Sorgt für eine spiegelglatte Oberfläche, reduziert die Partikelbildung und erhöht die Betriebseffizienz.
Anwendungen
Semicera SiC-Beschichtungenwerden in verschiedenen Phasen der Halbleiterfertigung eingesetzt, unter anderem:
● -LED-Chip-Herstellung
● -Polysiliziumproduktion
● -Halbleiterkristallwachstum
● -Silizium- und SiC-Epitaxie
● -Thermische Oxidation und Diffusion (TO&D)
Wir liefern SiC-beschichtete Bauteile aus hochfestem isostatischem Graphit, kohlenstofffaserverstärktem Kohlenstoff und rekristallisiertem 4N-Siliciumcarbid, die speziell für Wirbelschichtreaktoren entwickelt wurden.STC-TCS-Konverter, CZ-Einheitsreflektoren, SiC-Waferboote, SiC-Waferpaddel, SiC-Waferrohre und Waferträger, die in PECVD-, Siliziumepitaxie- und MOCVD-Prozessen verwendet werden.
Vorteile
● -Verlängerte Lebensdauer: Reduziert Anlagenstillstandszeiten und Wartungskosten erheblich und steigert so die Gesamtproduktionseffizienz.
● -Verbesserte Qualität: Erreicht hochreine Oberflächen, die für die Halbleiterverarbeitung notwendig sind, und steigert so die Produktqualität.
● -Erhöhte Effizienz: Optimiert thermische und CVD-Prozesse, was zu kürzeren Zykluszeiten und höheren Ausbeuten führt.
Technische Spezifikationen
● -Struktur: FCC β-Phase polykristallin, hauptsächlich (111)-orientiert
● -Dichte: 3,21 g/cm³
● -Härte: 2500 Vickes-Härte (500 g Last)
● -Bruchzähigkeit: 3,0 MPa·m1/2
● -Thermischer Ausdehnungskoeffizient (100–600 °C): 4,3 x 10-6k-1
● -Elastizitätsmodul (1300℃):435 GPa
● -Typische Schichtdicke:100 µm
● -Oberflächenrauheit:2-10 µm
Reinheitsdaten (gemessen mittels Glimmentladungs-Massenspektrometrie)
| Element | ppm | Element | ppm |
| Li | < 0,001 | Cu | < 0,01 |
| Be | < 0,001 | Zn | < 0,05 |
| Al | < 0,04 | Ga | < 0,01 |
| P | < 0,01 | Ge | < 0,05 |
| S | < 0,04 | As | < 0,005 |
| K | < 0,05 | In | < 0,01 |
| Ca | < 0,05 | Sn | < 0,01 |
| Ti | < 0,005 | Sb | < 0,01 |
| V | < 0,001 | W | < 0,05 |
| Cr | < 0,05 | Te | < 0,01 |
| Mn | < 0,005 | Pb | < 0,01 |
| Fe | < 0,05 | Bi | < 0,05 |
| Ni | < 0,01 |
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