Beschreibung
Unser Unternehmen bietet anSiC-BeschichtungProzessdienstleistungen mittels CVD-Verfahren auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien, wobei spezielle, kohlenstoff- und siliziumhaltige Gase bei hoher Temperatur reagieren, um hochreine SiC-Moleküle zu erhalten. Diese Moleküle lagern sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ab und bilden eineSiC-Schutzschicht.
Hauptmerkmale
1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:
Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen von bis zu 1600 °C noch sehr gut.
2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
4. Korrosionsbeständigkeit: gegenüber Säuren, Laugen, Salzen und organischen Reagenzien.
Hauptspezifikationen der CVD-SiC-Beschichtung
| SiC-CVD-Eigenschaften | ||
| Kristallstruktur | FCC β-Phase | |
| Dichte | g/cm³ | 3.21 |
| Härte | Vickers-Härte | 2500 |
| Körnung | μm | 2–10 |
| Chemische Reinheit | % | 99,99995 |
| Wärmekapazität | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimationstemperatur | ℃ | 2700 |
| Felexurale Stärke | MPa (RT 4-Punkt) | 415 |
| Elastizitätsmodul | Gpa (4pt Biegung, 1300℃) | 430 |
| Wärmeausdehnung (CTE) | 10-6K-1 | 4,5 |
| Wärmeleitfähigkeit | (W/mK) | 300 |
Ausrüstung
