Unser Unternehmen bietet anSiC-BeschichtungProzessdienstleistungen auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien mittels CVD-Verfahren, sodass spezielle kohlenstoff- und siliziumhaltige Gase bei hoher Temperatur reagieren können, um hochreine SiC-Moleküle zu erhalten, die auf der Oberfläche der beschichteten Materialien abgeschieden werden können, um eineSiC-Schutzschichtfür Epitaxie, Fasstyp, hypothetisch.
Hauptmerkmale:
1. Hochreines SiC-beschichtetes Graphit
2. Hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
3. GutSiC-Kristallbeschichtungfür eine glatte Oberfläche
4. Hohe Beständigkeit gegenüber chemischer Reinigung
Hauptspezifikationen vonCVD-SiC-Beschichtung
| SiC-CVD-Eigenschaften | ||
| Kristallstruktur | FCC β-Phase | |
| Dichte | g/cm³ | 3.21 |
| Härte | Vickers-Härte | 2500 |
| Körnung | μm | 2–10 |
| Chemische Reinheit | % | 99,99995 |
| Wärmekapazität | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimationstemperatur | ℃ | 2700 |
| Felexurale Stärke | MPa (RT 4-Punkt) | 415 |
| Elastizitätsmodul | Gpa (4pt Biegung, 1300℃) | 430 |
| Wärmeausdehnung (CTE) | 10-6K-1 | 4,5 |
| Wärmeleitfähigkeit | (W/mK) | 300 |
